如果讲电阻、电容、电感三大元件是我们常见的电子元件的话,而二极管则是我们见到最多的半导体电子元件。为什么说二极管不同于电阻、电容、电感而被称为半导体电子元件那?这是因为二极管是利用半导体材料根据其电荷有P极流向N极的特性而制成的,故被称为半导体电子元件。比它功能更强大的三极管、MOS管等元件也是半导体电子元件。 二极管有两个管脚,一个是正极一个是负极,它最大的特性是单向导电性,既电荷只能由正极流
我们所熟知的二极管被广泛应用于各种电路中，但我们真正了解二极管的某些特性关系吗？如二极管导通电压和反向漏电流与导通电流、环境温度存在什么样的关系等，让我们来扒扒很多数据手册中很少提起的特性关系和正确合理的选型。 我们都知道在选择二极管时，主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的，在电路设计中知道这些关系对选择合适的二
半导体分立器件作为半导体器件基本产品门类之一，是介于电子整机行业和原材料行业之间的中间产品，是电子信息产业的基础和核心领域之一。半导体产业的发展始于分立器件，所谓“分立”，一般是指被封装的半导体器件仅含单一元件(为了产品应用需要，部分分立器件封装实际上包含二个或多个元件或器件)，它必须和其它类型的元件相结合，才能提供类似放大或开关等基本电学功能。从产品结构来分，半导体分立器件可分为二极管、三极管、
在全球电子行业稳步发展的大环境下，不少业内人士对于半导体分立器件的市场前景更为看好，据美国半导体产业协会公布的数据显示，半导体分立器件行业的销售排名已占电子市场总份额的前三。而在未来两年间，半导体市场成长率将保持了7.9%左右，半导体分立器件应用范围的不断拓展，将为行业发展带来新契机。在2014年度第84届中国电子展上，半导体分立器件将开设专门展区，充分展示这一行业的新科技与新产品。 第84届中
世界上Z大的支付处理组织VISA，已确认带有芯片的信用卡和借记卡可以将盗刷风险降低近20%。我国自2015年起，银行不再发行信用卡磁条卡，统一为芯片卡。那么为什么芯片卡更安全，我们又该如何将手中的磁条卡更换为芯片卡呢？ VISA亲证芯片卡可降低盗刷风险20% VISA风险产品副总裁斯蒂芬妮•埃里克森，最近向《今日美国报》表示，在2014年年底受到欺诈交易影响的商户大约有五分之一增加了处理芯片信
1、作用二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。二极管按用途分为：晶体二极管、双向触发二极管、高频变阻二极管、变容二极管、发二极管、肖特基二极管。2、识别方法二极管的识别很简单，小功率二极管的N极(负极)，在二极管表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号标志为“P”“N”来确定二极管极性的，发光二极管的正负极可从引
一、晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。 我们知道，晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的最低电压上升率。若电压上升率过大，超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开
1．晶闸管的结构 晶闸管是一种4层功率半导体器件，具有3个PN结，其内部的构造、外形和电路符号如图6-1所示。其中，最外层的P区和N区分别引出两个电极，称为阳极A和阴极K，中间的P区引出控制极（或称门极）。 2．晶闸管的工作原理 晶闸管组成的实际电路如图6-2所示。 为了说明晶闸管的工作原理，可将其看成NPN和PNP两
国际微电子发展的趋势是：集成电路的特征尺寸将继续缩小，集成电路(IC)将发展为系统芯片(SOC)。微电子技术和其他学科相结合将产生很多新的学科生长点，与其它产业结合成为重大经济增长点。1999年中国集成电路的总消耗量折合人民币为436亿元，其中国产芯片的总量为83.8亿元人民币，占世界芯片产量的0.6%。虽然中国微电子产业的发展有了很大进步，但与发达国家相比还很落后，生产技术总体上还有2代左右的差
半导体中的电子和空穴，在热平衡时，它们的浓度保持为一定的常数；但这是一种动态平衡，它们一边复合、又一边产生，在一定的温度下即保持为确定的数值。例如n型半导体，在热平衡情况下，如果再掺入施主使得电子浓度进一步增大，则电子与空穴复合的几率也相应地增大，于是会导致少数载流子——空穴的浓度有明显地降低。因此，半导体的掺杂浓度越高，多数载流子浓度就越大，而少数载流子浓度也就越小。半导体热平衡载流子浓度之间存
半导体在任何温度下，都将遵从热平衡条件：np=ni2。因此多数载流子与少数载流子是相互制约着的。多数载流子主要来自于掺杂，而少数载流子都来自于本征激发（属于本征载流子）。当通过掺杂、增大多数载流子浓度时，则多数载流子与少数载流子相互复合的机会增加，将使得少数载流子浓度减小；当升高温度，少数载流子浓度将指数式增大，并且它与多数载流子相互复合的机会也增加，仍然维持着热平衡关系。在温度不是很高时，增加的
正解：实际上，电阻率很高的半导体，不一定都是本征半导体。首先要搞清楚本征半导体的实质。凡是两种载流子都对导电起同样作用的半导体，就称为本征半导体。因此，平衡电子浓度和平衡空穴浓度相等的半导体，即为本征半导体；从而本征半导体的条件是：no=po=ni。可见，未掺杂的半导体确实是本征半导体，但是掺杂半导体在高温下也可以转变为本征半导体。因为多数载流子主要是由掺杂提供的，则在杂质全电离时，多数载流子浓度
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