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半导体掺杂浓度越高,两种载流子的浓度是否都越大?

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半导体中的电子和空穴,在热平衡时,它们的浓度保持为一定的常数;但这是一种动态平衡,它们一边复合、又一边产生,在一定的温度下即保持为确定的数值。例如n型半导体,在热平衡情况下,如果再掺入施主使得电子浓度进一步增大,则电子与空穴复合的几率也相应地增大,于是会导致少数载流子——空穴的浓度有明显地降低。因此,半导体的掺杂浓度越高,多数载流子浓度就越大,而少数载流子浓度也就越小。半导体热平衡载流子浓度之间存

半导体掺杂浓度越高,两种载流子的浓度是否都越大?

[Summary]半导体中的电子和空穴,在热平衡时,它们的浓度保持为一定的常数;但这是一种动态平衡,它们一边复合、又一边产生,在一定的温度下即保持为确定的数值。例如n型半导体,在热平衡情况下,如果再掺入施主使得电子浓度进一步增大,则电子与空穴复合的几率也相应地增大,于是会导致少数载流子——空穴的浓度有明显地降低。因此,半导体的掺杂浓度越高,多数载流子浓度就越大,而少数载流子浓度也就越小。半导体热平衡载流子浓度之间存

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半导体中的电子和空穴,在热平衡时,它们的浓度保持为一定的常数;但这是一种动态平衡,它们一边复合、又一边产生,在一定的温度下即保持为确定的数值。

例如n型半导体,在热平衡情况下,如果再掺入施主使得电子浓度进一步增大,则电子与空穴复合的几率也相应地增大,于是会导致少数载流子——空穴的浓度有明显地降低。因此,半导体的掺杂浓度越高,多数载流子浓度就越大,而少数载流子浓度也就越小。半导体热平衡载流子浓度之间存在有一定的关系——热平衡条件:nopo=ni2。在杂质全电离情况下,多数载流子浓度no≈ND(掺杂浓度),则少数载流子浓度po=ni2/no≈ni2/ND。

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